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Detalles del producto
El SSD Dahua DHI-SSD-V800S512G ofrece una capacidad de almacenamiento de 512 GB y una velocidad de lectura secuencial de 530 MB/s. Con un consumo promedio de energía de 0.625 W y una lectura aleatoria de 60400 IOPS, este dispositivo tiene una altura de 7 mm y utiliza una interfaz Serial ATA III. Con un tiempo medio entre fallos de 1500000 h y un intervalo de temperatura operativa de 0 a 70 °C, este SSD pesa 40 g y tiene una escritura aleatoria de 47300 IOPS. Su profundidad es de 100.2 mm y es compatible con la función TRIM. Además, cuenta con una resistencia a la vibración de 2.78 G y una calificación TBW de 465. Este dispositivo utiliza memoria 3D TLC NAND y tiene una velocidad de transferencia de datos de 6 Gbit/s. Compatible con S.M.A.R.T., este SSD tiene un factor de forma de 2.5" y un consumo máximo de energía de 1.2 W, con un consumo en espera de 0.5 W. Con dimensiones de 69.9 mm de ancho, 100.2 mm de profundidad y 7 mm de altura, este SSD es ideal para su uso en conmutadores de red. Ofrece un intervalo de temperatura de almacenaje de -40 a 85 °C y un intervalo de humedad relativa para funcionamiento de 5 a 95%.
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Especificaciones
| Peso y dimensiones | |
|---|---|
| Altura | 7 mm |
| Profundidad | 100.2 mm |
| Peso | 40 g |
| Ancho | 69.9 mm |
| Detalles técnicos | |
|---|---|
| Lectura secuencial | 530 MB/s |
| Intervalo de temperatura operativa | 0 - 70 °C |
| Intervalo de temperatura de almacenaje | -40 - 85 °C |
| Factor de forma | 2.5" |
| Interfaz | Serial ATA III |
| Intervalo de humedad relativa para funcionamiento | 5 - 95% |
| Capacidad | 512 GB |
| Control de energía | |
|---|---|
| Consumo de energía (espera) | 0.5 W |
| Consumo de energía (max) | 1.2 W |
| Consumo de energía (promedio) | 0.625 W |
| Condiciones ambientales | |
|---|---|
| Resistencia a la vibración | 2.78 G |
| Desempeño | |
|---|---|
| Lectura aleatoria (4KB) | 60400 IOPS |
| Componente para | Conmutador (dispositivo de red) |
| Velocidad de transferencia de datos | 6 Gbit/s |
| Tiempo medio entre fallos | 1500000 h |
| Soporte TRIM |
|
| Compatible con NVM Express (NVMe) |
|
| Soporte S.M.A.R.T. |
|
| Escritura aleatoria (4KB) | 47300 IOPS |
| Tipo de memoria | 3D TLC NAND |
| calificación TBW | 465 |
| Escritura secuencial | 320 MB/s |
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