Este producto es compatible con:
La licencia es aplicable a los siguientes productos:
A un vistazo
SSD PCIe NVMe M.2 (2280) Gen 3.0 x 4; nivel de rendimiento
NVMe para cargas de trabajo de arranque de servidores
Las capacidades optimizadas para aplicaciones (240 GB y 480 GB) permiten mantener los costes bajos
Protección contra pérdida de alimentación (PLP) incorporada
Unidad de autocifrado (SED) con AES-XTS de 256 bits
Detalles del producto
Unidad de arranque de servidor NVMe M.2 con PLP optimizado. Data Center DC1000B La unidad Data Center DC1000B de Kingston es un disco M.2 (2280) PCIe NVMe que utiliza la avanzada interfaz Gen 3.0 x 4 PCIe con NAND TLC 3D de 64 capas. DC1000B ofrece a los centros de datos una solución de unidad de arranque de excelente relación calidad-precio, con la garantía de estar comprando un disco SSD diseñado específicamente para servidores. El modelo DC1000B es especialmente adecuado para servidores montados en bastidor de alto volumen como unidad de arranque interna, así como para sistemas personalizados donde se requieran discos SSD M.2 que integren protección contra pérdida de alimentación (PLP). SSD de arranque Enterprise Data Center NVMe Los discos SSD NVMe M.2 están evolucionando dentro de los centros de datos, y refuerzan la eficacia de los servidores de arranque protegiendo las bahías de unidades de cargas entrantes en el proceso de almacenamiento de datos. Los OEM de servidores de marcas blancas y de primer nivel están empezando a equipar las placas base de sus servidores con al menos un, y en ocasiones dos, conectores M.2 a efectos de arranque. Aunque el formato M.2 fue originalmente diseñado como factor de forma de discos SSD para clientes, sus pequeñas dimensiones y elevado rendimiento lo hacen atractivo para su uso en servidores. No todos los discos SSD son creados iguales, y el uso de un SSD para clientes en una aplicación de servidores puede conllevar un rendimiento deficiente e irregular. Aplicaciones Las unidades de arranque se utilizan fundamentalmente en el arranque de sistemas operativos, aunque en muchos casos tienen una segunda finalidad: cargar los datos de las aplicaciones, o bien estar configuradas como unidades de memoria caché local de alta velocidad. Por consiguiente, la unidad DC1000B ha sido diseñada para una mayor vida útil (0,5 DWPD durante 5 años), con el objeto de procesar tanto la carga de trabajo del sistema operativo como la carga adicional de distribuir en caché y registrar datos. Además de haber sido diseñada para ofrecer fiabilidad a largo plazo, la unidad DC1000B está diseñada para ofrecer un determinado rendimiento a nivel empresarial con unas características de baja latencia poco habituales en discos SSD para clientes. Disponible con capacidades de 240 GB y 480 GB*. * Algunas de las capacidades enumeradas en un dispositivo de almacenamiento Flash se emplean para formatear y otras funciones, por lo cual no están disponibles para el almacenamiento de datos. Por este motivo, la capacidad real de almacenamiento de datos es inferior a la indicada en los productos.
Preguntas y respuestas sobre este producto
Resuelve tus dudas preguntando a la comunidad y a nuestro equipo de servicio al cliente.
Especificaciones
Peso y dimensiones | |
---|---|
Altura | 3.8 mm |
Profundidad | 22 mm |
Peso | 9 g |
Ancho | 80 mm |
Detalles técnicos | |
---|---|
Vibración no operativa | 20 G |
Intervalo de temperatura operativa | 0 - 70 °C |
Vibración operativa | 2.17 G |
Intervalo de temperatura de almacenaje | -40 - 85 °C |
Factor de forma | M.2 |
Interfaz | PCI Express 3.0 |
Sustainability certificates | RoHS |
Capacidad | 480 GB |
Control de energía | |
---|---|
Consumo de energía (espera) | 1.9 W |
Consumo de energía (max) | 5.47 W |
Consumo de energía (lectura) | 1.74 W |
Consumo de energía (escritura) | 4.88 W |
Diseño | |
---|---|
Certificación | CE, FCC |
Desempeño | |
---|---|
Encriptación de hardware | |
Lectura aleatoria (4KB) | 205000 IOPS |
Componente para | PC/computadora portátil |
Protección contra pérdidas de energía | |
Tiempo medio entre fallos | 2000000 h |
Compatible con NVM Express (NVMe) | |
Latencia (de escritura) | 75 µs |
Soporte S.M.A.R.T. | |
Escritura aleatoria (4KB) | 20000 IOPS |
Tipo de memoria | 3D TLC NAND |
Latencia (de lectura) | 161 µs |
Algoritmos de seguridad soportados | 256-bit AES |