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A un vistazo
8 independent internal bank
Programmable CAS Latency: 11, 10, 9, 8, 7, 6
Programmable Additive Latency: 0, CL - 2, or CL - 1 clock
8-bit pre-fetch
Bi-directional Differential Data Strobe
On Die Termination using ODT pin
Asynchronous Reset
Detalles del producto
El intervalo de temperatura operativa se encuentra entre los 0 y los 85 °C, mientras que el intervalo de temperatura de almacenamiento oscila entre -55 y los 100 °C. El diseño del módulo consta de una configuración única: un solo módulo con capacidad totalizada en 4GB.
Esta memoria utiliza tecnología Unregistered (unbuffered) sin ECC, lo que significa que no cuenta con corrección automática ante errores detectados durante la transmisión o procesamiento interno. Además, tiene un voltaje nominal bajo a tan sólo1.35 V por lo cual consume menos energía eléctrica comparada con otras memorias similares.
Con perfil SPD incluido, este dispositivo permite al sistema reconocer automáticamente las características técnicas específicas del hardware instalado para optimizar su funcionamiento según sus capacidades máximas soportadas.
En cuanto a dimensiones físicas, el factor forma utilizado es DIMM (Dual In-line Memory Module), siendo compatible con conectores estándar tipo240-pin DIMM . La placa base utilizada en la fabricación contiene oro como material conductor principal asegurando así mayor durabilidad frente al desgaste natural producido por el tiempo o factores ambientales adversos.
Por último cabe destacar que la latencia CAS es igual a11 ns , mientras que el tiempo activo en fila alcanza los35 ns; estos valores son indicativos del tiempo necesario para acceder a cada celda individual dentro del chip integrado permitiendo así conocer mejor cómo funciona esta pieza de hardware en términos técnicos.
Preguntas y respuestas sobre este producto
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Peso y dimensiones | |
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Altura | 18.8 mm |
Ancho | 133.3 mm |
Memoria | |
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Latencia CAS | 11 |
Placa de plomo | Oro |
Diseño de memoria (módulos x tamaño) | 1 x 4 GB |
Componente para | PC/servidor |
Voltaje de memoria | 1.35 V |
Configuración de módulos | 512M x 64 |
Tiempo activo en fila | 35 ns |
Buffered memory type | Unregistered (unbuffered) |
Tipo de memoria interna | DDR3L |
Memoria interna | 4 GB |
Clasificación de memoria | 1 |
Velocidad de memoria del reloj | 1600 MHz |
ECC |
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Perfil SPD |
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Tiempo de actualización de ciclo de fila | 260 ns |
Otras características | |
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Factor de forma | 240-pin DIMM |
Diseño | |
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JEDEC standard |
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Condiciones ambientales | |
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Intervalo de temperatura operativa | 0 - 85 °C |
Intervalo de temperatura de almacenaje | -55 - 100 °C |