Memoria RAM Kingston KCS-UC432/32G DDR4, 3200MHz, 32GB, ECC, CL22, para Cisco
SKU: KCS-UC432/32GEspecificaciones esenciales
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Detalles del producto
Capacidad de memoria: 32 GB, Voltaje de memoria: 1.2 V, Configuración de módulos: 4 x 8 GB, Ancho del producto: 133.35 mm, Profundidad del producto: 31.25 mm, Altura del producto: 7.08 mm.
La Memoria RAM Kingston DDR4 es un componente diseñado para su uso en PC y servidores. Tiene una capacidad interna de almacenamiento de datos de hasta 32GB y utiliza tecnologÃa ECC (Error Checking and Correcting) que permite detectar y corregir errores en la transmisión de datos.
Este modelo especÃfico tiene un factor de forma DIMM con una configuración de módulos compuesta por cuatro unidades individuales cada una con una capacidad de almacenamiento interno individualizada en ocho gigabytes.
La velocidad nominal a la cual opera esta memoria es de 3200MHz lo que garantiza un rendimiento óptimo durante el procesamiento y transferencia rápida y eficiente tanto para aplicaciones básicas como avanzadas.
El código SA asociado a este dispositivo es el número internacionalmente reconocido para identificar productos electrónicos importados/exportados bajo las normas arancelarias correspondientes al rubro informático según los estándares establecidos por la Organización Mundial del Comercio (OMC).
En cuanto a sus caracterÃsticas técnicas adicionales se destaca su latencia CAS igual a veintidós ciclos asà como también su voltaje operativo nominal fijado en valores bajos permitiendo reducir el consumo energético sin comprometer el desempeño general del sistema donde sea instalada.
Es importante mencionar que este tipo particular cuenta con retroiluminación apagada lo cual puede ser relevante dependiendo del diseño estético deseado para el equipo en donde se instale.
Por último, es necesario destacar que esta memoria utiliza un tipo de buffer registrado (buffered) lo cual permite una mayor estabilidad y confiabilidad durante la transmisión de datos al agregar un búfer adicional entre el controlador de memoria y los módulos individuales.




