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Featuring Samsung's latest 64-layer V-NAND technology to handle the workloads of high-end computing, workstations and NAS
Minimized lag for gaming and graphics rendering
Smooth, fast performance to handle multiple heavy workloads at once
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Especificaciones
| Peso y dimensiones | |
|---|---|
| Altura | 69.8 mm |
| Profundidad | 6.86 mm |
| Peso | 95.25 g |
| Ancho | 10cm |
| Detalles técnicos | |
|---|---|
| Intervalo de humedad relativa durante almacenaje | 5 - 95% |
| Intervalo de temperatura operativa | 0 - 70 °C |
| Intervalo de temperatura de almacenaje | -40 - 85 °C |
| Golpe (fuera de operación) | 1500 G |
| Factor de forma | 2.5" |
| Interfaz | SATA III |
| Intervalo de humedad relativa para funcionamiento | 5 - 95% |
| Golpes en funcionamiento | 1500 G |
| Capacidad | 2TB |
| Control de energía | |
|---|---|
| Consumo de energía (espera) | 0.5 W |
| Consumo de energía (max) | 4.5 W |
| Consumo de energía (promedio) | 2.2 W |
| Desempeño | |
|---|---|
| Lectura aleatoria (4KB) | 100000 IOPS |
| Componente para | servidor/estación de trabajo |
| DevSlp (device sleep) support |
|
| Velocidad de transferencia de datos | 6 Gbit/s |
| Tiempo medio entre fallos | 2000000 h |
| Tipo de controlador | Samsung MJX |
| Soporte TRIM |
|
| Compatible con NVM Express (NVMe) |
|
| Soporte S.M.A.R.T. |
|
| Escritura aleatoria (4KB) | 90000 IOPS |
| Tipo de memoria | 3D MLC |
| calificación TBW | 4800 |
| Algoritmos de seguridad soportados | 256-bit AES |
| Disco duro | |
|---|---|
| Velocidad de escritura | 530 MB/s |
| Velocidad de lectura | 560 MB/s |
Acerca del Fabricante
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