La licencia es aplicable a los siguientes productos:
A un vistazo
Nominal and dynamic on-die termination (ODT) for data, strobe, and mask signals
Low-power auto self refresh (LPASR)
Data bus inversion (DBI) for data bus
On-die VREFDQ generation and calibration
Dual-rank
On-board I2 serial presence-detect (SPD) EEPROM
Fixed burst chop (BC) of 4 and burst length (BL) of 8 via the mode register set (MRS)
Selectable BC4 or BL8 on-the-fly (OTF)
Terminated control command and address bus
Detalles del producto
El diseño de la memoria se compone por un módulo único de tamaño 1 x 32 GB, capaz de operar a una velocidad del reloj de hasta 3200 MHz. El voltaje necesario para su funcionamiento es bajo, ya que requiere únicamente 1.2 V.
En cuanto a sus características técnicas, esta memoria presenta una latencia CAS (Column Address Strobe) igual a 22 y un tiempo activo en fila (tRAS) igual a 32 ns. Además, tiene un tiempo ciclo de fila (tRC) igual a 45.75 ns y un tiempo actualización ciclo fila (tRFC) igual a350 ns.
Esta memoria RAM puede trabajar dentro del intervalo térmico operativo comprendido entre los cero grados Celsius y los ochentaicinco grados Celsius; mientras que el rango térmico adecuado para almacenarla oscila desde -55°C hasta100 °C.
Es importante destacar que este modelo no incluye ECC (Error Correction Code), pero cumple con las normas JEDEC establecidas por la industria tecnológica internacionalmente reconocida como estándares oficiales para productos electrónicos similares sin registrar o bufferizar datos durante su uso normalizado en sistemas informáticos personales o empresariales.
Preguntas y respuestas sobre este producto
Resuelve tus dudas preguntando a la comunidad y a nuestro equipo de servicio al cliente.
Peso y dimensiones | |
---|---|
Altura | 30 mm |
Ancho | 69.6 mm |
Detalles técnicos | |
---|---|
Doesn't contain | Halógeno |
Sustainability certificates | RoHS |
Memoria | |
---|---|
Latencia CAS | 22 |
Diseño de memoria (módulos x tamaño) | 1 x 32 GB |
Componente para | Computadora portátil |
Voltaje de memoria | 1.2 V |
Tiempo activo en fila | 32 ns |
Buffered memory type | Unregistered (unbuffered) |
Tipo de memoria interna | DDR4 |
Memoria interna | 32 GB |
Velocidad de memoria del reloj | 3200 MHz |
ECC |
![]() |
Programming power voltage (VPP) | 2.5 V |
Tiempo de ciclo de fila | 45.75 ns |
Tiempo de actualización de ciclo de fila | 350 ns |
Otras características | |
---|---|
Factor de forma | 260-pin SO-DIMM |
Diseño | |
---|---|
JEDEC standard |
![]() |